積層陶瓷電容器

產(chǎn)品品名編碼:
J R 104 K 1H X7R S 5 L E
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
(1) 代表自制，取JEC商標(biāo)第一字
(2) 產(chǎn)品類型：R:積層立式電容器 A: 積層臥式電容器
(3) 電容量值：前兩位表示電容值，最後一碼表示在前兩碼的後面有幾個(gè)零
(4) 容量值容許差：C = ±0.25PF, D = ±0.5PF, J = ±5%, K = ±10%,
M = ±20%, Z = +80%/-20%
(　　　　　　　(NPO: 適合所有容量容許差, X7R: K、M, Y5V、Z5U: M、Z)
(5) 額定電壓：1A = 10V, 1C = 16V, 1E = 25V, 1H = 50V,
(6) 材質(zhì)特性：NPO, X7R, Z5U, Y5V
(7) 腳　　形：A：AA高腳腳形, S：FS直腳腳形
O：FO外彎腳形, I：FI內(nèi)彎腳形
(8) 腳距型式：2: 2.54±0.5ｍｍ, 5: 5.08±0.5ｍｍ, 6: 6.35±0.5ｍｍ, 7: 7.53±0.5ｍｍ
(9) 腳長(zhǎng)型式：T=編帶(立式=16±0.5 , 臥式=52±0.5 )ｍｍ
R=捲裝(立式=52±0.5 , 臥式=26±0.5 )ｍｍ
散裝型式( 3: 3.0±0.5 , 4: 4.0±0.5 , 5: 5.0±0.5 ,
6: 6.0±0.5 , 0: 10.0±0.5 , L:25±1.0 , Q:31.0±1.0 )ｍｍ
(10) 塗裝顏色：Y：黃色、B：蘭色

介質(zhì)特性及測(cè)試方法

溫度特性

NPO

X7R

Y5V(Z5U)

電
容
量
(CAP)

電壓1.0V±0.2V,頻率1MHｚ，(CAP大於1000PF時(shí)，
頻率為1KHｚ溫度：25±2℃

電壓1.0V±0.2V，
頻率1KHｚ。
溫度：25±2℃

電壓1.0V±0.2V，
頻率1KHｚ。
溫度：25±2℃

散
逸
因
數(shù)
(DF)

當(dāng)CAP小於30PF時(shí)，須用10/(40+2C)%計(jì)算，當(dāng)CAP大於或等於30PF時(shí)，最大值0.1%。
電壓1.0V±0.2V,頻率1MHｚ，(CAP大於1000PF時(shí)，頻率為1KHｚ溫度：25±2℃

電壓為16~25V時(shí)，最大值3.5%。電壓大於或等於50V時(shí)，
最大值為2.5%。
電壓1.0V±0.2V，
頻率1KHｚ。
溫度：25±2℃

電壓為10V時(shí)，最大值10.0%。
電壓為16~25V時(shí)，最大值7.0%。電壓大於或等於50V時(shí)，
最大值為5.0%。
電壓1.0V±0.2V，頻率1KHｚ。
溫度：25±2℃

絕
緣
電
阻
(GΩ)

額定電壓小於250Vdc時(shí)，
以額定電壓充電60±5秒測(cè)試。
額定電壓大於或等於250Vdc時(shí)，
以250Vdc電壓充電60±5秒測(cè)試。
I.R.為10GΩ(Min)

CAP大於0.1uF時(shí)，
I.R.為1GΩ-uF(Min)。
CAP小於或等於0.1uF時(shí)，
I.R.為10GΩ(Min)
以額定電壓或250Vdc電壓充電
60±5秒測(cè)試。

CAP大於0.1uF時(shí)，
I.R.為1GΩ-uF(Min)。
CAP小於或等於0.1uF時(shí)，
I.R.為10GΩ(Min)
以額定電壓或250Vdc電壓充電
60±5秒測(cè)試。

耐

壓
(V)

當(dāng)額定電壓＜250Vdc時(shí)，以2.5倍的工作電壓測(cè)試，當(dāng)250Vdc≦額定電壓＜500Vdc時(shí)，以2倍的工作電壓測(cè)試，當(dāng)500Vdc≦額定電壓＜1KVdc時(shí)，以1.5倍的工作電壓測(cè)試，當(dāng)額定電壓≧1KVdc時(shí)，以1.2倍的工作電壓測(cè)試。
最大充電電流為50ｍA，測(cè)試時(shí)間為1~5秒。

積層立式電容導(dǎo)線形式:

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖:

1．陶瓷介質(zhì)

2．內(nèi)電極層

3．端電極

4．焊錫

5．引線

6．環(huán)氧樹脂封裝

積層立式電容尺寸與規(guī)格要求　　　　　　 單位: mm

尺寸

腳形

腳距
(F) ±0.5

高度
(H) max.

寬度
(D) max.

厚度
(T) max.

絕緣腳長(zhǎng)
(B) max.

腳長(zhǎng)
(L)

額定 電壓(V)

CAPACITANCE(pF )

COG(NPO)

X7R

Y5V(Z5U)

0603

AA

5.08

4.50

4.50

3.00

2.54

長(zhǎng)腳：
25.0(Min)
短腳：
3.0±0.5
~
10.0±0.5

10V
25V
50V

0.5~332
0.5~102
0.5~102

101~224

103~105
103~334
103~154

0805

AA

5.08

4.50

4.50

3.00

2.54

10V
25V
50V

0.5~123
0.5~472
0.5~392

101~105
101~334
101~154

103~475
103~105
103~334

FS

2.54

4.50

4.50

3.00

1.00

FO

2.54

4.50

4.50

3.00

3.50

1206

AA

5.08

5.50

5.50

4.00

2.54

10V
25V
50V

1.5~393
1.5~103
1.5~103

151~225

103~106
103~335
103~105

FS

2.54

5.50

5.50

4.00

1.00

FO

2.54

5.50

5.50

4.00

3.50

FS

5.08

5.50

5.50

4.00

1.00

立式編帶尺寸要求

備注：1.連續(xù)20顆之腳距累進(jìn)誤差不得大於±1ｍｍ
2. Ho=16±0.5ｍｍ&18±0.5ｍｍ適用於AA＆FO線形；
Ho=20±0.5ｍｍ適用於FS線形。

盒子尺寸：
332×241×42mm(L×H×W)

本體尺寸

A

11.0×11.0Max

紙帶寬度

w

18.0+1.0-0

本體厚度

T

4.0Max

膠帶寬度

‘wo

13.0 Max

引線直徑

‘d

0.48±0.05

輸送孔中點(diǎn)與紙帶距離

‘w1

9.0+0.75-0.5

編帶材料間的間距

‘p

12.7Ref

膠帶外的空白部分

‘w2

3.0Ref

輸送孔間距(備注1)

‘po

12.7±0.3

直的引線高度(備注2)

Ho

20±0.5

水平偏斜

△p

±3.0°

彎的引線高度(備注2)

Ho

16.0 or 18.0±0.5

輸送孔與引線的距離(2e)
(1e)

‘ p1
p1

3.81±0.7
5.08±0.7

組件頂部高度

H1

32.0Max

引線末端伸出長(zhǎng)度

e

1.0Max

腳距

F
F

5.08±0.5
2.54±0.5

輸送孔直徑

D

4.0±0.3

全部紙帶厚度

‘t

0.9Max

本體偏斜

△h

0±1.0

組件捨棄的截切高度

L

10.0Max

臥式編帶尺寸要求

電氣特性說(shuō)明

建儀使用電路

溫度補(bǔ)償型電容器

說(shuō)明：電容值變化與溫度成線性關(guān)係。
應(yīng)用：如調(diào)諧電路及時(shí)間電路。

調(diào)諧電路

時(shí)間電路

高誘電率型電容器

濾波電路

旁路電路

說(shuō)明：電容量大，內(nèi)部阻抗小，低損耗。
應(yīng)用：如耦合、濾波及旁路電路。

隔離與耦合電路

試驗(yàn)狀態(tài)：

1. 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：無(wú)特別規(guī)定時(shí)，在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(溫度15~35℃，相對(duì)濕度45~75%)
2. 進(jìn)行試驗(yàn)及測(cè)定，但如對(duì)標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的測(cè)定值，判定有疑問或在被特別要求的情形下則依如下基準(zhǔn)狀態(tài)判定之。
3. 基準(zhǔn)狀態(tài)：基準(zhǔn)態(tài)係指溫度25±2℃，相對(duì)濕度45~75%，氣壓860~1060mbar.

處理：判定及試驗(yàn)時(shí)，為使試驗(yàn)結(jié)果不致發(fā)生疑問，有必要時(shí)，應(yīng)將供測(cè)試之電容器置於測(cè)定溫度內(nèi)30分鐘以上

實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目與方法

NO.

項(xiàng) 目

性 能

試 驗(yàn) 方 法

(1)

溫度特性

電 容 溫 度 系 數(shù)

以25℃之容量值為基準(zhǔn),在材料特性之最大與最小操作溫度間, 測(cè)定其最大的容量偏差, 以變化率表示之。測(cè)試方式如下列步驟:
25±2℃→最小操作溫度 ± 2℃

25±2℃→最大操作溫度 ± 2℃

T.C.

操作溫度

容量變化率

(℃)

(ΔC/C)

NPO

X7R

Y5V

-55~+125℃

-55~+125℃

-25~+85℃

0±30PPM/℃

±15%

+30%~-80%

(2)

端極強(qiáng)度

拉力強(qiáng)度: 無(wú)破壞現(xiàn)象

施加0.5 Kgs力量10±1秒後觀察之。

彎曲強(qiáng)度: 無(wú)破壞現(xiàn)象

施加0.25 Kgs 力量後觀察之。
* 以90°角度反覆彎曲兩次。

(3)

焊錫耐熱性

外觀

需75%以上的銲錫均勻附著於導(dǎo)線之圓周方向

將導(dǎo)線於銲錫溫度350±10℃ 的錫槽中浸沾3.5±0.5秒後, 放置於室溫24±2小時(shí)後測(cè)定之。
浸沾時(shí)導(dǎo)線需浸至塗裝體下方2.0 mm處為宜。

容量變化率(ΔC/C)

NPO

X7R
Y5V

±2.5% 或 ± 0.25 pF max.
(取較大值)
±15%
±20%

(D.F./I.R.)

與初值規(guī)格要求相符

耐電壓(T.V.

端極間無(wú)異常

(4)

焊錫附著性

需75%以上的銲錫均勻附著於導(dǎo)線之圓周方向

在焊錫溫度260±5℃浸沾2±0.5秒時(shí)間。
(助銲劑中松香比例為25%)

(5)

耐濕性
(穩(wěn)定狀態(tài))
&
耐濕負(fù)荷

外觀

無(wú)任何顯著異狀

耐濕性 (穩(wěn)定狀態(tài)):
在溫度40±2℃、相對(duì)濕度90~95%的狀態(tài)下, 試驗(yàn)500 +24/-0小時(shí)後放置於室溫24 ±2小時(shí)後測(cè)定之。
耐濕負(fù)荷
在溫度40±2℃、相對(duì)濕度90~95%的狀態(tài)下, 連續(xù)施加直流額定電壓 (充放電電流50mA以下) 500 +24/-0小時(shí), 試驗(yàn)後放置於室溫24 ±2小時(shí)後後測(cè)定之。

容量變化率
(ΔC/C)

NPO±5% 或 ± 0.5PF
(取較大值)
X7R±15% Y5V±30%

散逸因素(D.F.)

NPO：
(1)≧30pF : Q≧350
(2)10pF≦C＜30pF
Q≧275＋2.5C
(3)＜10pF Q≧200＋10．C
X7R：0.05max.
Y5V：0.075max

絕緣電阻(I.R.)

1,000MΩ min. 或
R．C≧50 MΩμF(取較小值)

NO.

項(xiàng) 目

性 能

試 驗(yàn) 方 法

(6)

高溫負(fù)荷

外觀

無(wú)任何顯著異狀

在材料特性之最大操作溫度±3℃的條件下, 試驗(yàn)1000 +24/ -0小時(shí)後, 放置於室溫24 ±2小時(shí)後測(cè)定之。
充放電電流為50mA以下

容量變化率
(ΔC/C)

NPO

X7R
Y5V

±3% 或 ±0.3pF max.
(取較大值)
±15%
±30%

額定電壓

測(cè)試電壓

散逸因素(D.F.)

NPO：(1)C≧30pF：Q≧350
(2)10pF≦C＜30pF
Q≧275＋2.5．C
(3)C＜10pF：Q≧200＋10．C
X7R：0.05 max.
Y5V：0.075max.

≦100V

2.0Ur

>100≦250V

1.5Ur

>250≦630V

1.2Ur

>630

1.0Ur

* 最大操作溫度:
NPO、X7R : 125 ℃
Y5V : 85 ℃

絕緣電阻(I.R.)

1,000MΩ min. 或
R?C ≧ 50 MΩ．μF
(取較小值)

(7)

溫度循環(huán)

外觀

無(wú)任何顯著異狀

依照以下的4個(gè)步驟中的溫度及時(shí)間等條件, 測(cè)試5次循環(huán)後, 置於室溫如下列的時(shí)間後測(cè)定之:

(1) Class 1 材料: 24 ±2小時(shí)(1)Class 2 材料: 48 ±4小時(shí)

(2)材料特性之最大操作溫度 ±3℃: 30±3 分鐘
(3)室溫(25℃) : 2~3 分鐘
(4)材料特性之最小操作溫度 ±3℃: 30±3 分鐘
(5)室溫(25℃) : 2~3 分鐘

* 材料特性之最小與最大操作溫度, 請(qǐng)參照第五頁(yè)之第 (1) 點(diǎn)。

容量變化率
(ΔC/C)

NPO

X7R
Y5V

±5% 或 ±0.5pF max.
(取較大值)
±15%
±30%

散逸因素(D.F.)

NPO：

1. C≧30pF：Q≧350
2. 10pF≦C＜30Pf

Q≧275＋2.5．C

1. C＜10pF：

Q≧200＋10．C
X7R：0.05 max.
Y5V：0.075max.

絕緣電阻(I.R.)

1,000MΩ min. 或
R?C ≧ 50MΩ．μF
(取較小值)